ACJT410-8K
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ACJT410-8K 瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 IT(RMS):4A VDRM/VRRM:800V IGT:10/10/10mA TO-252瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 TJ = -40-125°C，擁有較高的 dv/dt 能力，抗電磁干擾能力強；可以承受較大電流的沖擊，較好的用于電感型負載，電磁干擾較嚴重的場合！可替代下記友商型號：1、ACST410-8B(意法-ST)； 2、 ACTT4S-800E(瑞能-WeEn)
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    • ACJT410-8K 瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 IT(RMS):4A VDRM/VRRM:800V IGT:10/10/10mA  TO-252瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 TJ = -40-125°C，擁有較高的 dv/dt 能力，抗電磁干擾能力強；可以承受較大電流的沖擊，較好的用于電感型負載，電磁干擾較嚴重的場合！


    可替代下記友商型號：

    1、ACST410-8B(意法-ST)； 

    2、 ACTT4S-800E(瑞能-WeEn)    

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