ACJT425-10A 瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 IT(RMS):4A VDRM/VRRM:1000V IGT:25/25/25mA TO-220A 瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 TJ = -40-125°C,擁有較高的 dv/dt 能力,抗電磁干擾能力強(qiáng);可以承受較大電流的沖擊,較好的用于電感型負(fù)載,電磁干擾較嚴(yán)重的場合!
ACJT425-10A 瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 IT(RMS):4A VDRM/VRRM:1000V IGT:25/25/25mA TO-220A 瞬態(tài)抑制型雙向可控硅 TJ = -40-125°C,擁有較高的 dv/dt 能力,抗電磁干擾能力強(qiáng);可以承受較大電流的沖擊,較好的用于電感型負(fù)載,電磁干擾較嚴(yán)重的場合!