JST12C-800BW
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JST12C-800BW 三象限雙向可控硅 IT(RMS):12A VDRM/VRRM:800V IGT:50/50/50mA
TO-220C 三象限雙向可控硅擁有較高的dv/dt能力,抗電磁干擾能力強；可以承受較大電流的沖擊，被廣泛應(yīng)用于各種電氣控制場景！可替代下記友商型號：1、BTA212-800B（瑞能-WeE）；2、BTA212-800B（恩智浦-NXP）；3、BTA312-800B（瑞能-WeE）
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    • JST12C-800BW 三象限雙向可控硅 IT(RMS):12A   VDRM/VRRM:800V   IGT:50/50/50mA   TO-220C  三象限雙向可控硅擁有較高的dv/dt能力,抗電磁干擾能力強；可以承受較大電流的沖擊，被廣泛應(yīng)用于各種電氣控制場景！


    可替代下記友商型號：

    1、BTA212-800B（瑞能-WeE）；

    2、BTA212-800B（恩智浦-NXP）；

    3、BTA312-800B（瑞能-WeE）

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