JST12C-800CW
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JST12C-800CW 三象限雙向可控硅 IT(RMS):12A VDRM/VRRM:800V IGT:35/35/35mA TO-220C 三象限雙向可控硅擁有較高的dv/dt能力,抗電磁干擾能力強(qiáng)；可以承受較大電流的沖擊，被廣泛應(yīng)用于各種電氣控制場(chǎng)景！可替代下記友商型號(hào)：1、BTB12-800CW（力特-Littelfuse）；2、BTA312-800C（瑞能-WeE）；3、BTA312-800C（恩智浦-NXP）
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    • JST12C-800CW 三象限雙向可控硅 IT(RMS):12A VDRM/VRRM:800V IGT:35/35/35mA TO-220C 三象限雙向可控硅擁有較高的dv/dt能力,抗電磁干擾能力強(qiáng)；可以承受較大電流的沖擊，被廣泛應(yīng)用于各種電氣控制場(chǎng)景！


    可替代下記友商型號(hào)：

    1、BTB12-800CW（力特-Littelfuse）；

    2、BTA312-800C（瑞能-WeE）；

    3、BTA312-800C（恩智浦-NXP）

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