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MOS管Rg和Rgs電阻的作用
一、Rg電阻作用:1、高壓管子：100Ω級(jí)別 (100-330Ω)，GS電容偏小 2、低壓管子：10Ω級(jí)別(10-100Ω)，GS電容偏大 3、防止瞬間驅(qū)動(dòng)電流過大，起到限流和保護(hù)作用 4、消除MOS…
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2023-10-17
MOS管的損耗有哪些呢
1、開關(guān)損耗=開通損耗+關(guān)斷損耗開通損耗：MOS開通期間，既有電流，也有電壓，存在開通損；耗關(guān)斷損耗：MOS關(guān)斷期間，既有電流，也有電壓，存在關(guān)斷損耗發(fā)生在開和關(guān)期間，與管子的開關(guān)頻率成正比…
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2023-10-16
世昌隆電子產(chǎn)品線之MOS的優(yōu)點(diǎn)
MOS管：電壓控制型器件，管子的導(dǎo)通只關(guān)注電壓的閥值。1、GS之間有一個(gè)電容；2、先對(duì)Cgs電容進(jìn)行充電，充到閥值后，管子導(dǎo)通；3、充電過程中是消耗電流和功耗的。當(dāng)充電完成后，電容充滿，則無電流。無電流則無…
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2023-10-15
關(guān)于捷捷微MOS和三極管對(duì)比
捷捷微MOS和三極管對(duì)比：1、電極：MOS：N管，P管（D極 S極 G極）BJT：PNP管，NPN管(C極 E極 B極) 注：D極（即漏極） S極（即源極） G極（即柵極） C極（即集電極…
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2023-10-14
世昌隆電子總結(jié)的MOSFET五種損壞原因
MOS管常見的5種損壞原因：1、雪崩破壞如果在漏極-源極之間外加超出器件額定VD SS的浪涌電壓，而且達(dá)到擊穿電壓V（BR）DSS(根據(jù)擊穿電流其值不同)并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象，在介質(zhì)負(fù)載的開關(guān)…
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2023-10-13
【電學(xué)基礎(chǔ)】1-直流電與交流電
直流電與交流電的區(qū)別及使用范圍：1、交流電是大小和方向隨時(shí)間周期性變化的，直流電不變；2、直流電有正負(fù)極，交流電沒用；3、交流電利于遠(yuǎn)距離傳輸，變壓但是無功較多（電感）較多，直流電損耗小，但是降壓較為不便…
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2023-01-10
薄膜電容器選型技術(shù)參數(shù)之四：等效串聯(lián)電阻ES…
等效串聯(lián)電阻是電容的歐姆電阻。它不僅包括接觸電容(Rs)，還包括其它如介質(zhì)極化和漏電流引起的電阻。這些也被定義為損耗因數(shù) 。根據(jù)tan d的定義，等效串聯(lián)電阻可表示為：等效串聯(lián)電阻不僅和電介質(zhì)的特性有關(guān)，還和電…
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2022-08-14
薄膜電容器選型技術(shù)參數(shù)之三：額定電容值CR
電容容值是電容器每單位電壓下可儲(chǔ)存的電荷量。電容器的額定電容值CR是標(biāo)注在電容器上的設(shè)計(jì)電容值。電容容值根據(jù)IEC 60068-1:2013，在標(biāo)準(zhǔn)條件下測(cè)量。測(cè)量之前，電容器必須存儲(chǔ)在測(cè)量條件下，直到整個(gè)電容器達(dá)…
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2022-08-14
薄膜電容器選型技術(shù)參數(shù)之二：峰值電流
最大峰值電流I (A) = C (μF) · dV/dt (V/μs)。dV/dt值和脈沖特性K0在每個(gè)產(chǎn)品規(guī)格書予以提供。K0用于評(píng)估脈沖產(chǎn)生的熱能。這些dV/dt和K0參數(shù)值僅對(duì)單個(gè)脈沖有效，即一個(gè)脈沖的產(chǎn)生的熱能(Q)在第二個(gè)脈…
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2022-08-14
薄膜電容器選型技術(shù)參數(shù)之一：降額
隨著電容工作溫度T的升高，電容的耐壓需要根據(jù)規(guī)格書上的要求進(jìn)行降額。因此，有可能需要選擇更高耐壓等級(jí)的電容。例如，對(duì)VR = 800 V DC的電容，根據(jù)下圖，從85 oC開始需要降額:>如果電容器的工作溫度T…
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2022-08-14

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